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dc.contributor.authorAguilar Treviño, Daniel Héctor
dc.date.accessioned2015-05-14T18:29:12Z
dc.date.available2015-05-14T18:29:12Z
dc.date.issued1998
dc.identifier.urihttp://cd.dgb.uanl.mx/handle/201504211/3226
dc.description.abstractTesis (Maestría en Ciencias con Especialidad en Ingeniería Cerámica) U.A.N.L.
dc.description.sponsorshipUANL
dc.description.urihttp://www.uanl.mx/
dc.format.extent112 h il.
dc.relation.ispartofseriesBibId;UANL000201039
dc.relation.ispartofseriesCodigo de barras;1020120828
dc.relation.urihttp://cdigital.dgb.uanl.mx/te/1020120828/1020120828.html
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 México
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/mx/
dc.subjectMateriales cerámicos
dc.subjectCristalización
dc.titleEstudio del proceso de cristalización del sistema binario SiO2-ZrO2 sintetizado por el método de sol-gel por Daniel Héctor Aguilar Treviño
dc.publication.placeMonterrey, N.L. [s.n.], 1998


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